近日，北京晶飞半导体科技有限公司在激光剥离金刚石材料领域取得重大技术突破。基于在激光剥离碳化硅加工领域长期的技术积累，晶飞自主研发的激光剥离金刚石设备成功实现了2英寸单晶和3英寸多晶金刚石激光剥离，并完成了未抛光金刚石直接激光剥离。
2英寸单晶金刚石剥离
未抛光金刚石直接激光剥离
大尺寸金刚石激光剥离技术是利用激光在材料内部进行非接触性改性加工，通过精确控制激光在材料内部的作用位置，实现材料的分离，解决了金刚石硬度极高，传统线切割几乎无法实现有效加工的难题，为金刚石从昂贵的宝石走向关键的半导体材料，打开了产业化的大门。
这项技术损耗低，材料利用率高，损耗可控制在80μm甚至100μm以内。另外非接触加工的方式，避免了机械应力，大幅降低了金刚石碎裂和产生微裂纹的风险，从而显著提升了加工良率。这意味着能实现极高的加工精度，剥离后的晶片表面更平整。
值得一提的是，采用未抛光金刚石直接激光剥离工艺，每片大尺寸金刚石可大幅为客户节省10~20小时抛光加工时间。该成果进一步拓展了激光剥离技术在第四代半导体材料领域的应用范围。截至目前，晶飞半导体已完成多家客户单晶/多晶金刚石激光剥离验证。对于1英寸金刚石剥离，损耗可小于80μm（上剥离面50μm，下剥离面30μm），加工时间小于15min。
据了解，除了晶飞半导体，目前还有多家公司在大尺寸金刚石激光剥离领域取得了显著进展。
如西湖仪器在在2025年11月就已发布并交付了金刚石激光剥离设备。其设备在加工1英寸金刚石时，能将材料损耗控制在约100μm，加工时间缩短至20分钟以内；
中微精仪成立于2024年11月，是国内最早突破大尺寸（30mm*30mm）金刚石切割的团队之一，并已实现国产激光设备的出海，向海外客户实现了销售；
大族半导体在2024年11月也宣布攻克了金刚石激光切片技术，表明大型激光设备商也已进入这一领域。
晶飞半导体此次的技术突破，不仅推动着我国金刚石激光剥离技术走向成熟和产业化，更为我国在下一代半导体技术的全球竞争中赢得了一张宝贵的“入场券”，抢占下一代技术高地。
