近日，宁波晶钻科技股份有限公司年产5万片芯片热沉金刚石项目完成备案。
项目位于宁波市镇海区蛟川街道，总投资5200万元，为改建项目，计划2026年12月建成。
一个月前，该公司年产2万片芯片热沉金刚石项目节能报告公示，同样落地镇海区，总投资1400万元，新增金刚石生产设备，达产后形成年产2万片芯片热沉金刚石产能。
两个项目之外，宁波晶钻年内还落有一个规模更大的项目。据浙江省审批项目公示，5月29日，公司年产15万片芯片热沉金刚石项目立项，建设性质为新建，总投资20480万元，占地面积33333.33平方米、总建筑面积68000平方米，拟新增金刚石生产设备244套、生产辅助系统6套，建设周期2026年7月至2029年6月。
三个项目规划年产能合计22万片、投资合计2.71亿元，均指向GaN、SiC第三代半导体功率器件散热模块。
但在节奏上并不相同：5万片线为改建、计划2026年12月建成，2万片线以新增设备为主，15万片线为新建基地，达产排在2029年6月。
从应用方向看，GaN/SiC功率器件散热下游覆盖5G基站功放、新能源汽车OBC和DC-DC转换器、光伏逆变器、工业变频器等场景，客户结构相对分散，认证周期也较短。
国内金刚石热沉赛道近两年进入密集投资期。国机精工、四方达、惠丰钻石、黄河旋风、力量钻石等超硬材料企业均已布局这一方向，在产品路线、产能规划和下游验证上各有推进。
放在上述企业密集扩产的节奏之下，宁波晶钻三项目合计22万片的规划体量并不突出；但若回溯这家“小巨人”自2013年起坚持CVD同质外延单晶金刚石路线的技术起点，其底层逻辑值得单独审视。
材料方向：从磨料市场转向半导体热管理
宁波晶钻成立于2013年，注册地即位于镇海区蛟川街道中官路998号，是国内最早专业从事CVD大尺寸单晶金刚石工业化生产的企业，核心技术来自中国科学院宁波材料技术与工程研究所。
生长工艺上，公司在超真空腔体内以天然金刚石籽晶片为基底，通入甲烷作为碳源，碳原子在微波作用下分离并沉积到籽晶片上，实现同质外延生长。
当时，国内金刚石产业以HPHT（高温高压法）为主流技术路线，产品主要面向工业磨料和培育钻石，商业化路径相对成熟。相比之下，CVD路线生长速率慢、成本高、良率低，产业化周期较长，短期内难以形成稳定回报，并非产业主流选择。
2014年，公司生产出国内第一颗采用CVD技术培育的大单晶金刚石。
此后MPCVD设备历经10余次迭代，公司已实现4英寸级同质外延单晶金刚石量产，此前持有3.35英寸同质外延单晶金刚石最大尺寸的世界纪录。
晶钻科技选择CVD路线所指向的，并非工业磨料市场的存量竞争，而是半导体器件的热管理需求。
设备自研：从依赖进口到自主迭代
全球90%以上人造金刚石产能在中国，但MPCVD设备长期由日本SEKI、iPlas等海外厂商主导。
宁波晶钻在设备端采取了自研路径。2025年12月，公司申请“一种柱形微波等离子体化学气相沉积装置及方法”专利，针对腔体打火、等离子体位置偏移等问题，提升工业化生产的均匀性与效率。
2026年3至5月，公司密集公开8项发明专利，涵盖“分布式天线阵列MPCVD腔内等离子体调控方法”“等离子体转动式大面积多晶MPCVD金刚石生长方法”“MPCVD金刚石生长温度在线监测”等方向。
据宁波日报披露，企业有1800台（套）自主研发的金刚石生长装备与加工装备，持续产出CVD（化学气相沉积）单晶金刚石，且CVD单晶金刚石年产能达250万克拉，位居全球首位。
在加工端，自研多工位金刚石研磨设备可将金刚石表面粗糙度控制在0.2纳米以内，最薄单晶金刚石产品厚度达10微米，可应用于高端光学窗口、集成电路封装等下游领域。
公司同时具备超真空CVD设备、激光微细加工设备的自研能力，产品覆盖材料、装备与器件三个环节。
设备与材料的双重能力，使公司在工艺参数迭代与产能扩张节奏上具备更高的自主性。
值得注意的是，该公司现有营收仍以培育钻石为主，占比超过八成。近三年来，企业平均每年投入3000多万元研发经费，其中超过80%投向半导体散热材料这一新兴赛道。
本次两个项目落地，是公司首次将半导体散热从研发投入推向产能规划。
在金刚石这一设备和工艺深度绑定的行业，自研MPCVD的优势正体现在调试、迭代、扩产等环节的自主可控上。从当前国内金刚石产业的布局看，同时具备设备自研与材料量产能力的企业数量有限，宁波晶钻是其中之一。其未必是这一轮热沉扩产中跑得最快的企业，但从技术积累的完整度看，可能是较难被替代的一家。
