金刚石半导体拥有宽的电势窗口、低的背景电流和良好的吸附特性等，但用高温高压法生产的金刚石半导体材料成本高、周期长、工艺过程难控制，且在尺寸上难以有较大突破,使得金刚石半导体的优良性能很难在切削刀具、电子及应用化学等领域广泛应用。 

王志伟等介绍了硼及其协同掺杂金刚石块体材料的研究现状，综述了掺杂对金刚石的形貌、结构及性能的影响，阐明了制备过程中影响掺杂金刚石质量的因素，展望了硼及其协同掺杂金刚石块体材料的应用前景。

并且研究了硼及其协同掺杂金刚石薄膜的制备方法、结构特点以及微观形貌。研究表明：硼及其协同掺杂金刚石薄膜弥补了高温高压法制备的相应材料尺寸限制，突破了n型半导体研究的瓶颈，可实现多种表面的功能化修饰，构建出多种特殊形貌的薄膜等，而应用在电学、光学、热学等诸多领域。

王志伟，邹芹，李艳国, 等. 硼及其协同掺杂金刚石块体的研究进展 [J]. 金刚石与磨料磨具工程， 2019， 39（6）：99-106.

WANG Zhiwei,  ZOU Qin, LI Yanguo， et al. Development of boron and its synergistic doped diamond blocks [J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2019, 39(6): 99-106.

王志伟，邹芹，李艳国, 等. 硼及其协同掺杂金刚石薄膜的研究 [J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2019, 39(4): 1-8.

WANG Zhiwei, ZOU Qin, LI Yanguo, et al. Study on boron and its co-doped diamond films [J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2019, 39(4): 1-8.